سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (PL) انجام شده، اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی، جذب و عبور نور از PS بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمونه هایی که ساخته ایم و مقایسه آنها با نظریه پراکندگی ارایه می شود.

در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر، که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیلیکان کپه ای کاملا متفاوت است، در نظر گرفته می شود. ضرایب اپتیکی سیلیکان متخلخل در فرود عمود و در بازه طول موج 200nm£l£3000nm به روش کرامرز - کرونیگ به دست آمده است. تحلیل نتایج تجربی ما نشان می دهد که ساختار الکترونی و ضریب جذب و خواص دی الکتریکی سیلیکان متخلخل در بازه مرئی کاملا با سیلیکان متفاوت بوده و سیلیکان متخلخل در محدوده نور مرئی پاسخ اپتیکی دارد. تفاوت سیلیکان متخلخل با سیلیکان کپه ای برحسب نتایج به دست آمده از روش تقریب محیط موثر (EMA) به خوبی مشاهده می شود و قابل توجیه است. در روش تقریب محیط موثر، تخلخل حاصل در سیلیکان به عنوان یک محیط جدید ناهمگن از میکروساختارهای سیلیکانی همراه با حفره ها در نظر گرفته می شود.

هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را در شکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تاثیر نوع آلایش، ضریب چسبندگی و برای تاثیر چگالی جریان، پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل موثر است در حالی که پارامتر میدان متوسط ویژگی درختی با میله ای بودن خلل را کنترل می کند. نتایج آن بر روی شبیه سازی رشد سیلیکان متخلخل، نشان داد اصلاحات اعمال شده با تاثیر این دو پارامتر در شکل ساختارهای شیبه سازی شده با نتایج نمونه های تجربی به دست آمده توافق و سازگاری دارند.

هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را در شکل ساختارهای بدست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تاثیر نوع آلایش، ضریب چسبندگی و برای تاثیر چگالی جریان، پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل موثر است در حالیکه پارامتر میدان متوسط ویژگی درختی یا میله ای بودن خلل را کنترل می کند. نتایج آن بر روی شبیه سازی رشد سیلیکان متخلخل، نشان داد اصلاحات اعمال شده با تاثیر این دو پارامتر در شکل ساختارهای شبیه سازی شده با نتایج نمونه های تجربی بدست آمده توافق و سازگاری دارند.